Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TN0106N3-G-P003
MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TN0106N3
TN0106N3-G-P003 Hakkında
TN0106N3-G-P003, Microchip Technology tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilim (Vdss) kapasitesine sahip olup, 350mA sürekli drain akımında çalışabilir. TO-92-3 paketlemesi ile Through Hole montajına uygun olan bu transistör, düşük RDS(on) değeri (3Ω @ 10V, 500mA) sayesinde verimli anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında stabil performans göstererek, endüstriyel kontrol devreleri, küçük güç anahtarlaması, sinyal yönetimi ve genel amaçlı lojik uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 350mA (Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 60 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 500µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok