Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK9P65W,RQ
MOSFET N-CH 650V 9.3A DPAK
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK9P65W
TK9P65W,RQ Hakkında
Toshiba TK9P65W,RQ, N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilimi ve 9.3A sürekli dren akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 10V kapı sürü voltajında 560mOhm maksimum RDS(on) değerine sahiptir. TO-252-3 (DPAK) yüzey montajlı paket ile sunulmaktadır. Maksimum 80W güç dağılımı kapasitesine ve 150°C çalışma sıcaklığına dayanabilir. Anahtarlama uygulamaları, ac/dc dönüştürücüler, invertörler ve motor kontrol devreleri gibi güç elektronik sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 700 pF @ 300 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 80W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 560mOhm @ 4.6A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 350µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok