Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK9J90E,S1E
MOSFET N-CH 900V 9A TO3P
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK9J90E
TK9J90E,S1E Hakkında
TK9J90E,S1E, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 900V drain-source gerilimi ve 9A sürekli drenaj akımı ile yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-3P-3 (SC-65-3) paketinde sunulan bu bileşen, 1.3Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimliliği optimize eder. ±30V gate-source gerilim aralığında çalışan transistör, 46nC gate charge karakteristiğine sahiptir. 150°C maksimum çalışma sıcaklığında 250W güç disipasyonuna dayanabilir. Indüktif yüklerin anahtarlanması, motor kontrol devreleri, güç yönetimi ve şarj uygulamalarında tercih edilir. Doğru işlemi için 10V drive voltajı ile uygun biçimde tetiklenmesi gerekir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 46 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2000 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3Ohm @ 4.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3P(N) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 900µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok