Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK9A90E,S4X
MOSFET N-CH 900V 9A TO220SIS
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK9A90E
TK9A90E,S4X Hakkında
Toshiba TK9A90E,S4X, 900V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 9A sürekli drain akımı ve 1.3Ω maksimum RDS(on) değeri ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 46 nC gate charge ve 2000 pF input kapasitansı özellikleri ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilen bu MOSFET, ±30V gate voltaj aralığında kontrol edilir. Güç dönüştürücüleri, anahtar modlu güç kaynakları (SMPS), motor sürücüleri ve yüksek voltaj uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 46 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2000 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3Ohm @ 4.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220SIS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 900µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok