Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TK9A65W,S5X

MOSFET N-CH 650V 9.3A TO220SIS

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
TK9A65W

TK9A65W,S5X Hakkında

TK9A65W,S5X, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilimi ve 9.3A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında anahtar elemanı olarak kullanılır. 500mΩ maksimum on-direnci (10V, 4.6A'de) düşük güç kaybı sağlar. 30W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile ac-dc konvertörleri, motor sürücüleri, enerji yönetimi devreleri ve endüstriyel güç elektroniği uygulamalarında tercih edilir. ±30V gate voltajı aralığı ve 3.5V eşik gerilimi ile geniş kontrol esnekliği sunar. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilir. Through-hole montajı sayesinde geleneksel PCB tasarımlarında kolayca uygulanabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 700 pF @ 300 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500mOhm @ 4.6A, 10V
Supplier Device Package TO-220SIS
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 350µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok