Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK9A55DA(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 550V 8.5A TO220SIS
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK9A55DA
TK9A55DA(STA4,Q,M) Hakkında
Toshiba TK9A55DA(STA4,Q,M), 550V drain-source gerilimi ve 8.5A sürekli dren akımı kapasitesi bulunan N-Channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürüş geriliminde 860mOhm maksimum Rds(on) değerine sahiptir. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilen ve 40W güç tüketebilen bu transistör, yüksek voltaj uygulamalarında anahtar elemanı olarak kullanılır. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC konvertörler ve endüstriyel uygulamalar gibi alanlarda tercih edilmektedir. 20nC gate charge karakteristiği ile hızlı anahtarlama işlemini destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 550 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1050 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 860mOhm @ 4.3A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220SIS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok