Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK9A45D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 450V 9A TO220SIS
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK9A45D
TK9A45D(STA4,Q,M) Hakkında
TK9A45D, Toshiba tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) olup, yüksek voltaj uygulamalarında güç anahtarlaması ve amplifikasyon işlevlerinde kullanılır. 450V drain-source gerilimi ve 9A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile, endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüler, güç kaynakları ve enerji dönüştürme uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. TO-220-3 paketleme ile ısıl yönetimi kolaylaştırılmış, 770mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlanır. ±30V maksimum gate-source gerilimi kapasitesi ve 150°C maksimum çalışma sıcaklığı ile geniş uygulama yelpazesini destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 450 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 800 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 770mOhm @ 4.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220SIS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok