Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK90S06N1L,LQ
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK90S06N1L
TK90S06N1L,LQ Hakkında
TK90S06N1L,LQ, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltajında 90A sürekli drenaj akımı sağlayabilen yüksek akım kapasiteli bir anahtarlama elemanıdır. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, 3.3mOhm on-resistance değeri ile düşük enerji kaybı sağlar. 175°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilir ve 157W güç dağıtabilir. Endüstriyel uygulamalar, güç yönetimi devreleri, motor kontrol sistemleri, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama güç kaynakları gibi yüksek akım gerektiren uygulamalarda kullanılır. ±20V gate-source voltaj aralığında çalışır ve 10V gate sürme voltajında optimize edilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 90A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 81 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5400 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 157W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3mOhm @ 45A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK+ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 500µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok