Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK8S06K3L(T6L1,NQ)
MOSFET N-CH 60V 8A DPAK
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK8S06K3L
TK8S06K3L(T6L1,NQ) Hakkında
TK8S06K3L(T6L1,NQ), Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 8A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 54mOhm maksimum RDS(On) direnci (4A, 10V koşullarında) ile düşük iletim kaybı sağlar. 25W güç dağıtım kapasitesi ve 175°C maksimum junction sıcaklığı ile sınırlı termal şartlarda çalışabilen bir bileşendir. Surface mount DPAK paketi ile kompakt PCB tasarımlarında yer alan güç dönüştürücü, motor sürücü ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 10nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama özellikleri sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 400 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 54mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK+ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok