Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK8R2A06PL,S4X
MOSFET N-CH 60V 50A TO220SIS
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK8R2A06PL
TK8R2A06PL,S4X Hakkında
Toshiba TK8R2A06PL,S4X, N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V Drain-Source gerilim (Vdss) ve 50A sürekli dren akımı (Id) ile tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 11.4mOhm maksimum Rds(On) değeri ile düşük iletim direnci sağlar. 4.5V ve 10V sürücü gerilimleri için optimize edilmiş yapısıyla, endüstriyel uygulamalarda, motor kontrol devrelerinde, güç kaynakları tasarımında ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 175°C'ye kadar çalışabilir ve maksimum 36W güç dağıtabilir. Gate kapasitesi 1990 pF'dir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28.4 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1990 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 36W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.4mOhm @ 8A, 4.5V |
| Supplier Device Package | TO-220SIS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 300µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok