Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK8Q65W,S1Q
MOSFET N-CH 650V 7.8A IPAK
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK8Q65W
TK8Q65W,S1Q Hakkında
TK8Q65W,S1Q, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drenaj-kaynak voltajında 7.8A sürekli akım kapasitesine sahiptir. TO-251-3 (IPAK) paketinde üretilen bu bileşen, yüksek voltajlı switching uygulamalarında kullanılır. 670mOhm maksimum on-direnç (Rds On) değeri ile verimli güç dönüştürme sağlar. 150°C üst çalışma sıcaklığında 80W güç tüketebilir. Aktif gating için ±30V maksimum gate voltajı kullanılır. 16nC gate yükü ve 570pF input kapasitansı ile hızlı switching sürelerine uygun tasarlanmıştır. Endüstriyel invertörler, enerji kaynakları, motor kontrol devreleri ve güç elektronikleri uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 570 pF @ 300 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 80W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 670mOhm @ 3.9A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 300µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok