Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK8Q60W,S1VQ
MOSFET N-CH 600V 8A IPAK
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK8Q60W
TK8Q60W,S1VQ Hakkında
TK8Q60W,S1VQ, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 8A sürekli dren akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. Super Junction teknolojisi sayesinde düşük RDS(on) değerine (500mΩ @ 4A, 10V) sahiptir. TO-251-3 (IPAK) paketinde sunulan bu bileşen, 80W güç harcanması kapasitesine ve 150°C'ye kadar işletim sıcaklığına dayanıklıdır. Yüksek voltaj uygulamalarında anahtar görevi gören bu MOSFET, güç kaynakları, adaptörler, motor kontrol devreleri ve endüstriyel enerji dönüştürme sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. 18.5nC gate charge karakteristiği ile hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | Super Junction |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 570 pF @ 300 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 80W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.7V @ 400µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok