Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK8P60W,RVQ
MOSFET N CH 600V 8A DPAK
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK8P60W
TK8P60W,RVQ Hakkında
TK8P60W,RVQ, Toshiba tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistördür. Super Junction teknolojisi ile tasarlanmış olan bu komponent, 8A sürekli drenaj akımı ve 80W güç disipasyonu kapasitesine sahiptir. 500mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. DPAK (TO-252-3) paket tipinde sunulan bu transistör, ±30V gate voltajı toleransı ile geniş uygulama alanına sahiptir. Endüstriyel inverterler, güç kaynakları, motor sürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 150°C maksimum junction sıcaklığında güvenilir performans gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | Super Junction |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 570 pF @ 300 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 80W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.7V @ 400µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok