Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK8P60W5,RVQ
MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK8P60W5
TK8P60W5,RVQ Hakkında
TK8P60W5,RVQ, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilim dayanımı ve 8A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 560mOhm maksimum on-dirençi (Rds On) ile verimli çalışma sağlar. TO-252 (DPAK) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, güç kaynakları, inverter devreleri ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir. ±30V gate gerilimi aralığında çalışabilir, maksimum 80W güç dağıtabilir ve 150°C'ye kadar sıcaklıkta stabil performans gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 590 pF @ 300 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 80W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 560mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 400µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok