Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK8A65W,S5X
MOSFET N-CH 650V 7.8A TO220SIS
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK8A65W
TK8A65W,S5X Hakkında
TK8A65W,S5X, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilim (Vdss) ve 7.8A sürekli dren akımı (Id) ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç elektronikleri, anahtarlama devreleri, invertörler ve motor kontrol sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. 650mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama performansı sağlar. ±30V maksimum gate gerilimi ve 16nC gate charge özellikleriyle hızlı komütasyon gerektiren devrelere uygundur. 150°C maksimum çalışma sıcaklığında 30W güç dissipasyonuna kapasite taşır. Through-hole montaj tipi ile konvansiyonel PCB tasarımlarına entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 570 pF @ 300 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650mOhm @ 3.9A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220SIS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 300µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok