Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK8A65D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 650V 8A TO220SIS
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK8A65D
TK8A65D(STA4,Q,M) Hakkında
TK8A65D, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source voltajı ve 8A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 through-hole paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç kaynakları, motor kontrolü ve yüksek voltaj dönüştürücü uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. 840mOhm maksimum RDS(on) değeri ve 45W güç kayıpı kapasitesi ile verimlilikleri korunarak çalışabilir. ±30V kapı voltaj aralığı ve 150°C maksimum junction sıcaklığı ile endüstriyel ortamlarda güvenli bir şekilde kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1350 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 840mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220SIS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok