Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK8A60W,S4VX
MOSFET N-CH 600V 8A TO220SIS
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK8A60W
TK8A60W,S4VX Hakkında
TK8A60W,S4VX, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilim ve 8A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında çalışabilir. Super Junction teknolojisi ile tasarlanmış olup, düşük on-resistance değeri (500mOhm @ 4A, 10V) ile enerji kaybını azaltır. TO-220-3 paket tipi ile mekanik monte edilir ve 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışır. Endüstriyel güç dönüştürücüler, anahtarlama devreleri, SMPS adaptörleri ve motor kontrol uygulamalarında kullanılır. ±30V kapı-kaynak gerilimi aralığında çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | Super Junction |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 570 pF @ 300 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220SIS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.7V @ 400µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok