Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK8A55DA(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 550V 7.5A TO220SIS
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK8A55DA
TK8A55DA(STA4,Q,M) Hakkında
Toshiba TK8A55DA(STA4,Q,M) bir N-Channel MOSFET transistörüdür. 550V drain-source gerilimi ve 7.5A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, yüksek gerilim uygulamalarında anahtar görevi üstlenebilir. 1.07Ω maksimum on-direnci (10V gate geriliminde) ile verimli çalışma sağlar. ±30V gate gerilim aralığında çalışabilir ve 150°C maksimum junction sıcaklığında güvenli çalışabilir. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, anahtarlama uygulamaları ve endüstriyel denetim sistemlerinde kullanılmaya uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 550 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 800 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.07Ohm @ 3.8A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220SIS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok