Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK8A10K3,S5Q
MOSFET N-CH 100V 8A TO220SIS
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK8A10K3
TK8A10K3,S5Q Hakkında
TK8A10K3,S5Q, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 8A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 120mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 10V gate sürüş geriliminde 12.9nC gate charge ve 530pF input capacitance değerleriyle karakterize edilir. ±20V maksimum gate-source gerilim aralığında çalışır. 150°C maksimum junction sıcaklığında ve 18W güç dağılımı kapasitesinde tasarlanmıştır. Elektronik switch uygulamaları, güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Through-hole montaj tipi ile PCB'ye doğrudan lehimleme yapılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.9 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 530 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 18W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220SIS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok