Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK80S06K3L(T6L1,NQ
MOSFET N-CH 60V 80A DPAK
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK80S06K3L
TK80S06K3L(T6L1,NQ Hakkında
TK80S06K3L, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source voltajında 80A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-252-3 (DPAK) yüzey montajlı paket ile sunulan bu bileşen, 5.5mOhm maksimum on-state direnç (Rds(on)) değerine sahiptir. Gate threshold voltajı 3V'tir ve ±20V gate-source voltaj aralığında çalışabilir. 100W güç harcanma kapasitesi ve 175°C maksimum junction sıcaklığı ile tanımlanan bu transistör; güç elektronikleri uygulamalarında, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüleri ve anahtarlama devreleri gibi alanlarda kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 85 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4200 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5mOhm @ 40A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK+ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok