Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK80S04K3L(T6L1,NQ
MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK80S04K3L
TK80S04K3L(T6L1,NQ Hakkında
Toshiba TK80S04K3L, 40V drain-source gerilimi ve 80A sürekli dren akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistördür. DPAK (TO-252-3) yüzey montaj paketi ile sağlanan bu bileşen, düşük on-state direnci (3.1mOhm @ 40A, 10V) ile güç uygulamalarında verimli anahtarlama sağlar. 175°C maksimum çalışma sıcaklığı ve 100W güç disipasyonu kapasitesi ile motor kontrol, güç dönüştürücüler, batarya yönetimi ve endüstriyel aydınlatma uygulamalarında kullanılır. ±20V gate gerilimi aralığı ve 87nC gate yükü, hızlı ve güvenilir anahtarlama işlemi için optimum tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 87 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4340 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.1mOhm @ 40A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK+ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok