Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK7S10N1Z,LXHQ
MOSFET N-CH 100V 7A DPAK
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK7S10N1Z
TK7S10N1Z,LXHQ Hakkında
Toshiba TK7S10N1Z,LXHQ, N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 7A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 48mOhm maksimum on-resistance değerine sahip olup, 10V gate sürü geriliminde çalışır. TO-252 (DPAK) yüzey montaj paketinde sunulur. 175°C maksimum işletme sıcaklığında ve 50W güç dağılımında kullanılabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. 7.1nC gate charge ve 470pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama gerektiren tasarımlar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.1 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 470 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 48mOhm @ 3.5A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK+ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok