Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK7R7P10PL,RQ
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK7R7P10PL
TK7R7P10PL,RQ Hakkında
Toshiba TK7R7P10PL,RQ, 100V drain-source voltajına sahip N-Channel power MOSFET transistördür. 55A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 7.7mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama özellikleri sunur. TO-252-3 (DPak) yüzey montajlı paket ile kompakt devre tasarımlarına uyumludur. Endüstriyel güç kaynakları, motor kontrol devreleri, anahtarlama regülatörleri ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılır. -175°C maksimum çalışma sıcaklığı ile geniş sıcaklık aralığında güvenilir işletim sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 55A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 44 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2800 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 93W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.7mOhm @ 27.5A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 500µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok