Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK7R0E08QM,S1X
UMOS10 TO-220AB 80V 7MOHM
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK7R0E08QM
TK7R0E08QM,S1X Hakkında
Toshiba TK7R0E08QM,S1X, N-Channel MOSFET transistördür. 80V drain-source voltaj kapasitesi ve 64A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. 7mOhm RdsOn değeri (10V, 32A'de) ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-220AB paketinde through-hole montajına uygun olarak sunulur. 39nC gate charge değeri hızlı anahtarlama uygulamaları için elverişlidir. ±20V maksimum gate-source voltajı, 175°C maksimum işletme sıcaklığı ve 87W güç dağıtımı kapasitesi ile endüstriyel uygulamalarda güç anahtarlama, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücü devrelerinde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 64A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2700 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 175°C |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 87W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 32A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 500µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok