Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK7Q60W,S1VQ
MOSFET N-CH 600V 7A IPAK
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK7Q60W
TK7Q60W,S1VQ Hakkında
TK7Q60W,S1VQ, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source voltaj kapasitesi ve 7A sürekli drenaj akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-251-3 (IPak) paket türü ile entegre devreler ve güç yönetimi sistemlerinde montaj için uygundur. Gate charge değeri 15nC ve maksimum RDS(on) 600mΩ'dur. 150°C maksimum junction sıcaklığında 60W güç tüketebilir. Anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol ve elektrik güç uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 490 pF @ 300 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 3.5A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.7V @ 350µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok