Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK7P65W,RQ
MOSFET N-CH 650V 6.8A DPAK
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK7P65W
TK7P65W,RQ Hakkında
TK7P65W,RQ, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V Drain-Source gerilimi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmaya tasarlanmıştır. 6.8A sürekli Drain akımı kapasitesi ile güç elektronik devrelerinde anahtar elemanı olarak görev yapar. 10V drive voltajında 800mOhm maksimum On-direnç (Rds On) değerine sahiptir. DPAK (TO-252-3) yüzey monte paketlemesiyle kompakt tasarımlara uygun hale getirilmiştir. 150°C maksimum çalışma sıcaklığında 60W güç dağıtabilir. Şarj kontrolü, DC-DC konvertörler, motor sürücüleri ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 490 pF @ 300 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800mOhm @ 3.4A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok