Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK7P60W5,RVQ
MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK7P60W
TK7P60W5,RVQ Hakkında
TK7P60W5,RVQ, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 7A sürekli dren akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. Super Junction teknolojisi ile tasarlanmış olup, düşük RDS(on) değeri (670mΩ @ 3.5A, 10V) enerji verimliliğini artırır. Gate charge 16nC olup hızlı komütasyon sağlar. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlar için uygundur. Anahtarlama güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrolü ve güç yönetimi devrelerinde yaygın olarak kullanılır. -30V ile +30V Vgs aralığında çalışabilir ve 150°C kadar yüksek sıcaklıklarda güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | Super Junction |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 490 pF @ 300 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 670mOhm @ 3.5A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 350µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok