Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK7J90E,S1E
MOSFET N-CH 900V 7A TO3P
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK7J90E
TK7J90E,S1E Hakkında
TK7J90E,S1E, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 900V drain-source gerilim ve 7A sürekli dren akımı kapasitesiyle yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-3P-3 (SC-65-3) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç kaynakları, motor kontrol ve inverter uygulamalarında tercih edilmektedir. 2Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. ±30V kapı gerilimi aralığında çalışır ve 150°C'ye kadar sıcaklıkta operasyon yapabilir. 32nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1350 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 200W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 3.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3P(N) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 700µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok