Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK7E80W,S1X
MOSFET N-CH 800V 6.5A TO220
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK7E80W
TK7E80W,S1X Hakkında
TK7E80W,S1X, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 800V drain-source gerilimi (Vdss) ve 6.5A sürekli drenaj akımı (Id) ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paket tipinde sunulan bu transistör, güç elektroniği devrelerinde anahtar (switching) elemanı olarak çalışır. 950mΩ maksimum on-direnç (Rds On) ile enerji kaybını sınırlar. ±20V maksimum gate gerilimi ve 4V eşik gerilimi (Vgs(th)) ile kontrol edilir. 110W güç dağılımı kapasitesi ve 150°C işletme sıcaklığı ile endüstriyel uygulamalarda, invertör devreleri, motor sürücüleri ve güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 700 pF @ 300 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 110W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950mOhm @ 3.3A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 280µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok