Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TK7A65W,S5X

MOSFET N-CH 650V 6.8A TO220SIS

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
TK7A65W

TK7A65W,S5X Hakkında

TK7A65W,S5X, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilimi ve 6.8A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 10V gate sürüş voltajında 780mOhm maksimum RDS(on) değerine sahiptir. TO-220-3 paketlemesiyle montajı kolaydır. Güç dönüştürücüler, şarj devreler, motor kontrol uygulamaları ve anahtarlama devrelerinde tercih edilir. 150°C maksimum çalışma sıcaklığında 30W güç dağıtabilir. ±30V maksimum gate-source gerilimi ve 3.5V eşik voltajı ile hassas kontrol imkanı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.8A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 490 pF @ 300 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 780mOhm @ 3.4A, 10V
Supplier Device Package TO-220SIS
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok