Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK7A60W,S4VX
MOSFET N-CH 600V 7A TO220SIS
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK7A60W
TK7A60W,S4VX Hakkında
TK7A60W,S4VX, Toshiba tarafından üretilen N-kanallı MOSFET transistördür. 600V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanıma uygundur. 7A sürekli dren akımı ve 30W maksimum güç tüketimi kapasitesi ile endüstriyel anahtarlama ve güç dönüştürme devrelerinde tercih edilir. Super Junction teknolojisi ile tasarlanmış olan bileşen, düşük Rds(on) değeri (600mΩ @ 3.5A, 10V) sayesinde enerji kaybını minimize eder. TO-220-3 paketlemesi ile mont edilir ve 150°C maksimum çalışma sıcaklığına dayanır. AC-DC anahtarlamalı güç kaynakları, motor sürücüler ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | Super Junction |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 490 pF @ 300 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 3.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220SIS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.7V @ 350µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok