Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK7A55D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 550V 7A TO220SIS
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK7A55D
TK7A55D(STA4,Q,M) Hakkında
TK7A55D(STA4,Q,M), Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 550V drain-source voltaj aralığında çalışan bu bileşen, 7A sürekli drain akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan transistör, 1.25Ohm maksimum drain-source direnci (Rds On) ile güç kaybını minimize eder. 16nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama özelliği sağlar. ±30V gate voltaj aralığında güvenli çalışma sunmaktadır. 150°C maksimum junction sıcaklığında ve 35W güç dağılım kapasitesi ile endüstriyel anahtarlama uygulamaları, güç kaynakları ve motor kontrol devrelerinde kullanılır. Through-hole montaj tipi ile geleneksel PCB tasarımlarına uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 550 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 700 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 35W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.25Ohm @ 3.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220SIS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok