Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK72E12N1,S1X
MOSFET N CH 120V 72A TO-220
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK72E12N1
TK72E12N1,S1X Hakkında
TK72E12N1,S1X, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 120V drain-source gerilimi ve 72A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 4.4mΩ (36A, 10V) RDS(On) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. ±20V maksimum gate gerilimi ve 150°C çalışma sıcaklığı desteği ile, anahtarlama devreleri, güç kaynakları, motor sürücüleri ve endüstriyel kontrol uygulamalarında kullanılır. 255W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile yüksek güçlü switching uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 72A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 120 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 130 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8100 pF @ 60 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 255W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4mOhm @ 36A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok