Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TK72E08N1,S1X

MOSFET N-CH 80V 72A TO220

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
TK72E08N1

TK72E08N1,S1X Hakkında

TK72E08N1,S1X, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 80V drain-source voltaj (Vdss) ve 72A sürekli drain akımı (Id) kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paket tipiyle sunulan bu bileşen, 10V gate sürüş voltajında 4.3mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp uygulamalarda kullanılır. 81nC gate charge ve 5500pF input kapasitanslı tasarımı, yüksek frekans anahtarlama uygulamalarında hızlı komütasyon sağlar. Maksimum 192W güç disipasyonu kapasitesi ve -40°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığı, endüstriyel ve ticari uygulamalarda geniş kullanım imkanı sunar. Güç dönüştürme devreleri, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 72A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5500 pF @ 40 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 192W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.3mOhm @ 36A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok