Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TK70D06J1(Q)

MOSFET N-CH 60V 70A TO220

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
TK70D06J1

TK70D06J1(Q) Hakkında

TK70D06J1(Q), Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilim kapasitesi ile 70A sürekli drain akımı sağlayabilen bu komponent, güç elektronikleri uygulamalarında anahtarlama işlevini yerine getirir. TO-220-3 paket tipinde sunulan transistör, düşük RDS(on) değeri (6.4mΩ @ 35A, 10V) sayesinde ısı kaybını minimize eder. Maximum 45W güç yayılımı kapasitesi ile motor kontrol devreleri, DC-DC konvertörler, güç kaynakları ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Gate threshold voltajı 2.3V olup, ±20V gate gerilimi toleransı vardır. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilen bu komponent, yüksek akım ve gerilim uygulamaları için tasarlanmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 70A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5450 pF @ 10 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.4mOhm @ 35A, 10V
Supplier Device Package TO-220(W)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok