Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK6R9P08QM,RQ
UMOS10 DPAK 80V 6.9MOHM
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK6R9P08QM
TK6R9P08QM,RQ Hakkında
Toshiba TK6R9P08QM,RQ, N-Channel MOSFET transistördür. UMOS10 teknolojisine dayanan bu bileşen, 80V Drain-Source gerilimi ile 62A sürekli drenaj akımı sağlayabilir. 6.9mOhm on-resistance ile düşük güç kaybı karakteristiği sunar. TO-252-3 (DPAK) paketinde sunulan komponent, yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında, güç yönetim devrelerinde, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. 39nC gate charge ve 2700pF input capacitance özellikleri ile hızlı komütasyon sağlar. -40°C ile 175°C arasında çalışır ve 89W güç dağıtabilir. 10V gate drive voltajında optimal performans gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 62A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2700 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 89W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.9mOhm @ 31A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 500µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok