Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK6R8A08QM,S4X
UMOS10 TO-220SIS 80V 6.8MOHM
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK6R8A08QM
TK6R8A08QM,S4X Hakkında
TK6R8A08QM,S4X, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 80V drain-source gerilimi ve 6.8mΩ on-state direnci ile düşük kayıp uygulamalar için tasarlanmıştır. 58A sürekli drain akımı kapasitesi ve ±20V gate gerilim aralığı ile güç dönüştürme, motor kontrolü, anahtarlama uygulamaları ve endüstriyel güç yönetimi sistemlerinde kullanılır. 39nC gate charge ve 2700pF input capacitance özellikleri hızlı komutasyon sağlar. Maksimum 175°C çalışma sıcaklığında 41W güç saçabilen bu transistör, yüksek akımlı ve düşük gerilim uygulamalarında verimli çözüm sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 58A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2700 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 175°C |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 41W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.8mOhm @ 29A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220SIS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 500µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok