Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK6R7P06PL,RQ
MOSFET N-CHANNEL 60V 46A DPAK
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK6R7P06PL
TK6R7P06PL,RQ Hakkında
TK6R7P06PL,RQ, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 46A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 6.7mOhm maksimum on-direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. DPAK (TO-252-3) yüzey monte paketinde sunulan bu transistör, güç kaynakları, motor kontrol devreler, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -40°C ile 175°C arasında çalışmaya uygundur ve maksimum 66W güç tüketebilir. 10V gate geriliminde optimum performans gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 46A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1990 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 66W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.7mOhm @ 23A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 300µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok