Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK6Q65W,S1Q
MOSFET N-CH 650V 5.8A IPAK
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK6Q65W
TK6Q65W,S1Q Hakkında
TK6Q65W,S1Q, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 650V drain-source gerilimi ve 5.8A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-251-3 (IPAK) paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürme uygulamalarında, anahtarlama devrelerinde ve AC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. 1.05Ω maksimum on-direnci ile verimli anahtarlama sağlar. 10V gate sürme gerilimi ile kontrol edilir ve -40°C ile +150°C arasında çalışabilir. 60W maksimum güç yayılımı ile endüstriyel ve ticari güç yönetimi uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 390 pF @ 300 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.05Ohm @ 2.9A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 180µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok