Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK6Q60W,S1VQ
MOSFET N-CH 600V 6.2A IPAK
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK6Q60W
TK6Q60W,S1VQ Hakkında
Toshiba TK6Q60W,S1VQ, Super Junction teknolojisine sahip N-Channel MOSFET transistördür. 600V Drain-Source gerilimi ve 6.2A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. TO-251-3 (IPAK) paketinde gelmektedir. 10V gate voltajında 820mΩ maksimum Rds(on) değerine sahiptir. 60W güç tüketim kapasitesi ile endüstriyel uygulamalarda, güç kaynakları, inverter devreleri, motor kontrol ve AC/DC dönüştürücülerde kullanılır. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilir. ±30V maksimum gate-source gerilimi ile geniş uygulamalarımızda tercih edilen bir komponenttir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | Super Junction |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 390 pF @ 300 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 820mOhm @ 3.1A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.7V @ 310µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok