Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK6P65W,RQ
MOSFET N-CH 650V 5.8A DPAK
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK6P65W
TK6P65W,RQ Hakkında
TK6P65W,RQ, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source voltajı ve 5.8A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 1.05Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük kaypayda çalışır. DPAK (TO-252-3) yüzey montaj paketi ile kompakt devre tasarımları için uygundur. Maksimum 60W güç dağıtabilir ve 150°C'ye kadar sıcaklıkta çalışır. Switching regülatörleri, güç yönetimi devreleri, motor kontrol uygulamaları ve güç dönüştürücülerinde yaygın olarak kullanılır. ±30V gate voltajı aralığında çalışır ve 3.5V threshold voltajı ile hızlı anahtarlama sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 390 pF @ 300 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.05Ohm @ 2.9A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 180µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok