Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK6P60W,RVQ
MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK6P60W
TK6P60W,RVQ Hakkında
TK6P60W,RVQ, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. Super Junction teknolojisi ile tasarlanmış bu bileşen, 600V drain-source gerilimi ve 6.2A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 10V gate sürüş voltajında maksimum 820mOhm on-state direnç ile düşük kayıp işletme sağlar. TO-252 (DPAK) yüzeye monte paketinde sunulan bu transistör, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrolü ve anahtarlamayan güç uygulamalarında kullanılır. 60W maksimum güç kayıpı ve 150°C çalışma sıcaklığı ile endüstriyel ortamlarda güvenilir performans sunar. 12nC gate charge ve 390pF input kapasitans değerleri hızlı anahtarlama işlemlerini destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | Super Junction |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 390 pF @ 300 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 820mOhm @ 3.1A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.7V @ 310µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok