Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK6A80E,S4X
MOSFET N-CH 800V 6A TO220SIS
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK6A80E
TK6A80E,S4X Hakkında
TK6A80E,S4X, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 800V drain-source gerilimi ve 6A sürekli dren akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında çalışmaya uygun bir bileşendir. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, güç elektronikleri, anahtarlama devreleri ve inverter uygulamalarında kullanılır. 1.7Ω (10V, 3A'de) maksimum RDS(on) değeri ve 32nC gate charge'ı ile verimli anahtarlama performansı sağlar. ±30V maksimum gate-source gerilimi ile geniş kontrol aralığına sahiptir. 150°C maksimum junction sıcaklığında ve 45W güç tüketiminde çalışabilen bu bileşen, endüstriyel motor kontrol, DC-DC konvertör ve güç kaynağı uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1350 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7Ohm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220SIS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 600µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok