Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK6A65W,S5X
MOSFET N-CH 650V 5.8A TO220SIS
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK6A65W
TK6A65W,S5X Hakkında
TK6A65W,S5X, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilim ve 5.8A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamaları için tasarlanmıştır. 1Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli güç transferi sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, sürücü devreleri, anahtarlama uygulamaları ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. 150°C işletme sıcaklığı ve 30W güç dağılımı kapasitesi ile güvenilir uzun süreli çalışma garantisi verir. Gate charge değeri 11nC ile hızlı anahtarlama karakteristiği sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 390 pF @ 300 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1Ohm @ 2.9A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220SIS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 180µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok