Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK6A65D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 650V 6A TO220SIS
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK6A65D
TK6A65D(STA4,Q,M) Hakkında
TK6A65D(STA4,Q,M), Toshiba tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 6A sürekli dren akımı kapasitesine ve 1.11Ω maksimum RDS(on) değerine sahiptir. 45W güç dağılımı yeteneği ile güç elektronik uygulamalarında kullanılan bir anahtar elemanıdır. 650V yüksek voltaj derecelendirmesi ve ±30V gate voltajı toleransı sayesinde, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve endüstriyel güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1050 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.11Ohm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220SIS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok