Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TK6A60W,S4VX

MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220SIS

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
TK6A60W

TK6A60W,S4VX Hakkında

Toshiba TK6A60W,S4VX, 600V 6.2A N-Channel MOSFET transistörüdür. Super Junction teknolojisi ile tasarlanan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama ve güç denetim işlevlerinde kullanılır. TO-220-3 paket tipinde sunulan transistör, 750mΩ'luk Rds(on) değeri ile enerji kaybını minimize eder. 12nC gate charge ve 390pF input capacitance özellikleri ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. 30W maksimum güç tüketimi kapasitesi ile endüstriyel güç kaynakları, motor kontrol devreleri, invertör uygulamaları ve DC-DC konvertörlerde yaygın olarak tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Feature Super Junction
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 390 pF @ 300 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750mOhm @ 3.1A, 10V
Supplier Device Package TO-220SIS
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.7V @ 310µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok