Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK6A60D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 600V 6A TO220SIS
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK6A60D
TK6A60D(STA4,Q,M) Hakkında
TK6A60D(STA4,Q,M), Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilim ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 6A sürekli drain akımı kapasitesiyle orta güç seviyesi anahtarlama ve güç yönetimi devrelerinde yer alır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, SMPS (Switched Mode Power Supply) uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrolü ve indüktif yükler için anahtarlama işlevini gerçekleştirir. 1.25Ω maksimum RDS(On) değeri (3A, 10V koşullarında) düşük kayıp uygulamaları destekler. ±30V maksimum gate-source gerilimi ile geniş sürücü uyumluluğu sağlar. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 800 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.25Ohm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220SIS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok