Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK6A55DA(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 550V 5.5A TO220SIS
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK6A55DA
TK6A55DA(STA4,Q,M) Hakkında
TK6A55DA(STA4,Q,M), Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 550V drain-source gerilimi ve 5.5A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürme, motor kontrol, anahtarlama uygulamaları ve endüstriyel elektronik devrelerde tercih edilir. 1.48Ω maksimum on-direnci (Rds On) ile verimli çalışma sağlar. Gate-source gerilimi ±30V arasında değişebilir. 150°C maksimum işletme sıcaklığında 35W güç harcarabilir. Through-hole montaj tipi sayesinde geleneksel PCB tasarımlarında kolay entegrasyon yapılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 550 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 600 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 35W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.48Ohm @ 2.8A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220SIS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok