Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK6A50D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 500V 6A TO220SIS
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK6A50D
TK6A50D(STA4,Q,M) Hakkında
TK6A50D(STA4,Q,M), Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 500V drain-source gerilimi ve 6A sürekli drain akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 1.4Ω maksimum on-direnci (Rds On) ile verimli anahtarlama sağlar. 11 nC gate yükü ve 540 pF giriş kapasitanı ile hızlı komütasyon özellikleri sunmaktadır. Güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve endüstriyel kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. ±30V gate gerilimi aralığında çalışır ve 150°C maksimum junction sıcaklığında 35W güç saçabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 540 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 35W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220SIS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok