Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK65S04N1L,LXHQ
MOSFET N-CH 40V 65A DPAK
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK65S04N1L
TK65S04N1L,LXHQ Hakkında
TK65S04N1L,LXHQ, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilimi ve 65A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 4.3mΩ RDS(on) değeri ile düşük kontak direnci sağlar. DPAK (TO-252-3) yüzeye monte paketinde sunulan bu transistör, güç elektroniği, motor sürücüleri, anahtarlama güç kaynakları ve batarya yönetim sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. 175°C işletme sıcaklığına dayanıklı tasarımı ile endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında tercih edilir. 39nC gate charge değeri hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 65A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2550 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 107W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.3mOhm @ 32.5A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK+ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 300µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok